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PAGOODA制造大功率N沟MOS管

PAGOODA制造大功率N沟MOS管

大功率N沟MOS管
型号:STP80NF10
封装:TO-220
FET类型:场效应MOS管
漏源电压(Vdss):100
漏极电流(Id):80A
漏源导通电阻(RDS On):10
栅源电压(Vgs):100
栅极电荷(Qg):100
反向恢复时间:2S
最大耗散功率:80(mW)
工作温度范围:-55℃~+125℃
安装类型:直插
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电子元器件专业配单

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大功率N沟MOS管

型号:STP80NF10

封装:TO-220

FET类型:场效应MOS管

漏源电压(Vdss):100

漏极电流(Id):80A

漏源导通电阻(RDS On):10

栅源电压(Vgs):100

栅极电荷(Qg):100

反向恢复时间:2S

最大耗散功率:80(mW)

工作温度范围:-55℃~+125℃

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